【真空鍍膜產品常見不良分析及改善對策之膜外自霧】： 現(xiàn)象：鍍膜完成后，表面有一些淡淡的白霧，用丙tong或混合液擦拭，會有越擦越嚴重的現(xiàn)象。用氧化鈰粉擦拭，可以擦掉或減輕。 可能成因有： 1. 膜結構問題，外層膜的柱狀結構松散，外層膜太粗糙 2. 蒸發(fā)角過大，膜結構粗糙 3. 溫差：鏡片出罩時內外溫差過大 4. 潮氣：鏡片出罩后擺放環(huán)境的潮氣 5. 真空室內POLYCOLD解凍時水汽過重 6. 蒸鍍中充氧不完全，膜結構不均勻。 7. 膜與膜之間的應力 改善思路：膜外白霧成因很多但各有特征，盡量對癥下藥。主要思路，一是把膜做的致密光滑些不容易吸附，二是改善環(huán)境減少吸附的對象。 改善對策： 1. 改善膜系，外層加二氧化硅，使膜表面光滑，不易吸附。 2. 降低出罩時的鏡片溫度 3. 改善充氧（加大），改善膜結構 4. 適當降低蒸發(fā)速率，改善柱狀結構 5. 離子輔助鍍膜，改善膜結構 6. 加上Polycold解凍時的小充氣閥 7. 從蒸發(fā)源和夾具上想辦法改善蒸發(fā)角 8. 改善基片表面粗糙度 9. 注意Polycold解凍時的真空度。 國產真空鍍膜設備廠商推薦。湖北光馳真空鍍膜設備

【光譜分光不良的補救（補色）之其他情況】： 分光不良分為二種情況：一是全部膜系鍍制完成后，經測試分光不良，此類不良主要按六節(jié)所述方法處理，一般減反膜難以補救。但對于高反膜、帶通濾光膜等可以通過加層的方法補救。二是鍍制中途中斷（包括發(fā)現(xiàn)錯誤中斷）造成的分光不良，一般都可以通過后續(xù)努力補救。后續(xù)方法正確，補救成功率比較高。 中斷的原因形式之其他情況： 對于用錯程序，錯誤操作（預熔未關閉擋板等）人為中斷需要補救的；以及反光膜、濾光膜鍍后需要補救的情況處理方案： 模擬：將實測分光數(shù)據(jù)輸入計算機膜系設計程序的優(yōu)化目標值。通過計算機模擬（一般是Zui后一層的膜厚確認），找到與實現(xiàn)測試值結果相應的膜系數(shù)據(jù)。 優(yōu)化：根據(jù)模擬得到的膜系數(shù)據(jù)，輸入產品要求的優(yōu)化目標值，通過加層、優(yōu)化后續(xù)膜層的方法，重新優(yōu)化設計一個補救膜系。 試鍍：確認、完善補救膜系效果 補救鍍：完成補救工作 海南龍華led真空鍍膜設備真空鍍膜設備詳細鍍膜方法。

【磁控濺射鍍膜的歷史】： 磁控濺射技術作為一種十分有效的薄膜沉積方法,被普遍地應用于許多方面，特別是在微電子、光學薄膜和材料表面處理等領域。1852年Grove首ci描述濺射這種物理現(xiàn)象,20世紀40年代濺射技術作為一種沉積鍍膜方法開始得到應用和發(fā)展。60年代后隨著半導體工業(yè)的迅速崛起,這種技術在集成電路生產工藝中,用于沉積集成電路中晶體管的金屬電極層,才真正得以普及和guang泛的應用。磁控濺射技術出現(xiàn)和發(fā)展,以及80年代用于制作CD的反射層之后,磁控濺射技術應用領域得到極大地擴展,逐步成為制造許多產品的一種常用手段。 【磁控濺射原理】: 電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶原子，靶原子沉積在基片表面形成膜。二次電子受到磁場影響，被束縛在靶面的等離子體區(qū)域，二次電子在磁場作用下繞靶面做圓周運動，在運動過程中不斷和氬原子發(fā)生撞擊，電離出大量氬離子轟擊靶材。 【磁控濺射優(yōu)缺點】： 優(yōu)點：工藝重復性好，薄膜純度高，膜厚均勻，附著力好。 缺點：設備結構復雜，靶材利用率低。

【真空鍍膜產品常見不良分析及改善對策之膜強度】： 膜強度時鏡片鍍膜的一項重要指標，也是鍍膜工序Zui常見的不良項。 膜強度的不良（膜弱）主要表現(xiàn)為： 1. 擦拭專yong膠帶拉撕，產生成片脫落 2. 擦拭專yong膠帶拉撕，產生點狀脫落 3. 水煮15分鐘后用專yong膠帶拉撕產生點狀或片狀脫落 4. 用專yong橡皮頭、1Kg力摩擦40次，有道子產生 5. 膜層擦拭或未擦拭出現(xiàn)龜裂紋、網狀細道子 改善思路：基片與膜層的結合是首要考慮的，其次是膜表面硬度光滑度以及膜應力。 真空鍍膜設備機組介紹。

【真空鍍膜磁控濺射法】： 濺射鍍膜Zui初出現(xiàn)的是簡單的直流二極濺射，它的優(yōu)點是裝置簡單，但是直流二極濺射沉積速率低；為了保持自持放電，不能在低氣壓(<0．1 Pa)下進行；不能濺射絕緣材料等缺點限制了其應用。 磁控濺射是由二極濺射基礎上發(fā)展而來，在靶材表面建立與電場正交磁場，解決了二極濺射沉積速率低，等離子體離化率低等問題，成為目前鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術相比具有如下特點：可制備成靶的材料廣，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在適當條件下多元靶材共濺射方式，可沉積配比精確恒定的合金；在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質與氣體分子的化合物薄膜；通過精確地控制濺射鍍膜過程，容易獲得均勻的高精度的膜厚；通過離子濺射靶材料物質由固態(tài)直接轉變?yōu)榈入x子態(tài)，濺射靶的安裝不受限制，適合于大容積鍍膜室多靶布置設計；濺射鍍膜速度快，膜層致密，附著性好等特點，很適合于大批量，高效率工業(yè)生產。近年來磁控濺射技術發(fā)展很快，具有代表性的方法有射頻濺射、反應磁控濺射、非平衡磁控濺射、脈沖磁控濺射、高速濺射等。 廣東真空鍍膜設備廠家。安徽pvd真空鍍膜設備

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【真空鍍膜設備之真空的獲得】： 真空泵：真空泵是指利用機械、物理、化學或物理化學的方法對被抽容器進行抽氣而獲得真空的器件或設備。通俗來講，真空泵是用各種方法在某一封閉空間中改善、產生和維持真空的裝置。 按真空泵的工作原理，真空泵基本上可以分為兩種類型，即氣體捕集泵和氣體傳輸泵。其廣fan用于冶金、化工、食品、電子鍍膜等行業(yè)。 A、粗真空泵（Rough Vacuum Pump）：一般用于抽粗真空，有油泵和 干泵。從結構上可分幾種： 旋轉葉片泵：油泵，極限真空可達10&3Torr，抽速1~650CFM 隔膜泵：干泵，極限真空1Torr左右，抽速<10CFM 往復式活塞泵：干泵，極限真空10&2Torr，抽速6~32CFM 渦旋式真空泵：干泵，極限真空10&2Torr，抽速12~25CFM 螺旋泵：干泵，極限真空10&3Torr，抽速30~318CFM 湖北光馳真空鍍膜設備

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