【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之單片膜色不均勻】： 原因：主要是由于基片凹凸嚴(yán)重，與傘片曲率差異較大，基片上部、或下部法線與蒸發(fā)源構(gòu)成的蒸發(fā)角差異較大。造成一片鏡片上各部位接受膜料的條件差異大，形成的膜厚差異大。另外鏡片被鏡圈（碟片）邊緣部遮擋、鏡圈（碟片）臟在蒸鍍時(shí)污染鏡片等也會造成膜色差異問題。 改善對策：改善鏡片邊緣的蒸發(fā)角 1. 條件許可，用行星夾具 2. 選用傘片平坦（R大）的機(jī)臺 3. 根據(jù)傘片孔位分布，基片形狀，制作專門的鋸齒形修正板。 4. 如果有可能，把蒸發(fā)源往真空室中間移動，也可改善單片的膜色均勻性。 5. 改善鏡圈（碟片），防止遮擋。 6. 注意旋轉(zhuǎn)傘架的相應(yīng)部位對邊緣鏡片的部分遮擋 7. 清潔鏡圈（碟片） 8. 改善膜料蒸發(fā)狀況。真空鍍膜設(shè)備怎么維修。新疆真空鍍膜設(shè)備哪家好

【真空鍍膜真空濺射法】： 真空濺射法是物理qi相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術(shù)的發(fā)展，濺射鍍膜技術(shù)飛速發(fā)展，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨(dú)到之處。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場的作用下，對陰極靶材料表面進(jìn)行轟擊，把靶材料表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動能，沿一定的方法射向基體表面，在基體表面形成鍍層。特點(diǎn)為：鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng)；鍍膜層致密、均勻；設(shè)備簡單，操作方便，容易控制。 主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目前應(yīng)用較多的是磁控濺射法。 河北國外真空鍍膜設(shè)備廠商真空鍍膜設(shè)備的工作原理和構(gòu)成。

【真空鍍膜電子束蒸發(fā)法】： 電子束蒸發(fā)法是將蒸發(fā)材料放入水冷銅坩鍋中，直接利用電子束加熱，使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結(jié)在基板表面形成膜，是真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點(diǎn)，特別適合制作熔點(diǎn)薄膜材料和高純薄膜材料。 【真空鍍膜激光蒸發(fā)法】： 采用激光束蒸發(fā)源的蒸鍍技術(shù)是一種理想的薄膜制備方法。這是由于激光器是可以安裝在真空室之外，這樣不但簡化了真空室內(nèi)部的空間布置，減少了加熱源的放氣，而且還可完全避免了蒸發(fā)氣對被鍍材料的污染，達(dá)到了膜層純潔的目的。此外，激光加熱可以達(dá)到極高的溫度，利用激光束加熱能夠?qū)δ承┖辖鸹蚧衔镞M(jìn)行快速蒸發(fā)。這對于保證膜的成分，防止膜的分餾或分解也是極其有用的。激光蒸發(fā)鍍的缺點(diǎn)是制作大功率連續(xù)式激光器的成本較高，所以它的應(yīng)用范圍有一定的限制，導(dǎo)致其在工業(yè)中的guang泛應(yīng)用有一定的限制。

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之破邊、炸裂】： 一般的鍍膜會對基片加熱，由于基片是裝架在金屬圈、碟內(nèi)，由于鏡圈或碟片與鏡片（基片）的熱膨脹系數(shù)不一致，冷卻過程中會造成鏡片的破便或炸裂。 有些大鏡片，由于出罩時(shí)的溫度較高，與室溫的溫差較大，鏡片的熱應(yīng)力作用造成鏡片炸裂或破邊。有些零件邊緣倒邊的形狀容易造成卡圈而破邊。 改善對策： 1. 夾具（鏡圈、碟片）的設(shè)計(jì)，在尺寸配合上要合理，充分考慮制造誤差帶來的影響。 2. 注意鏡圈、碟片的變形，已經(jīng)變形的夾具不能使用。 3. 選用合適的夾具才來哦（非導(dǎo)磁材料、不生銹、耐高溫不變性），不銹鋼較為理想（熱變形系數(shù)小），就是加工難度大，價(jià)格貴。 4. 對于大鏡片應(yīng)降低出罩時(shí)的溫度，減少溫差，防止炸裂。 5. 如果時(shí)鏡圈，可以考慮在鏡圈上開槽，作為緩沖。 錦成國泰真空鍍膜設(shè)備怎么樣？

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之膜色差異】： 膜色差異有兩種（不含色斑），一種時(shí)整罩上、中、下膜色不一致，即分光測試曲線有差異；二是單片膜色不一致。 改善對策： 1. 調(diào)整修正版，盡量考慮高低折射率膜料的平衡兼容，如果有兩個(gè)蒸發(fā)源，可能的條件下，獨(dú)li使用各自的修正板，避免干擾。 2. 條件許可，采用行星夾具。 3. 傘片整形。 4. 加強(qiáng)傘片管理。 5. 改善膜料狀況 6. 能夠自動預(yù)熔的膜料，盡量自動預(yù)熔 注：修正板對物理膜厚的修正有效，但對折射率的修正是力不從心的，所以完全靠修正板解決分光均勻性，是很困難的。如果一個(gè)修正板對應(yīng)二把電子搶（蒸發(fā)源）、以及多種膜料，就會有較大困難。 真空鍍膜設(shè)備產(chǎn)業(yè)集群。貴州真空鍍膜設(shè)備工藝

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【真空鍍膜二極濺射與磁控濺射對比】： 靶材利用率（TU）：是指發(fā)生濺射的靶材質(zhì)量占原靶材質(zhì)量的比率。 公式表示：靶材利用率={原靶材質(zhì)量（Kg）—濺射后靶材質(zhì)量}/原靶材質(zhì)量 注：①：磁控濺射靶材利用率稍低，電壓要求低，電流會高，濺射率提高，增加生產(chǎn)效率，降低成本。 ②：靶材使用壽命結(jié)素之前必須及時(shí)更換新靶材，防止靶材周圍物質(zhì)發(fā)生濺射（金屬箔片、連接片、陰極） 兩種濺射技術(shù)的區(qū)別： ①：靶材利用率不同 ②：濺射腔室和陰極設(shè)計(jì)要求不同 ③：放電電流和放電電壓不同 ④：濺射率不同：磁控濺射有更短的沉積時(shí)間，更高的沉積量和更短沉積周期。新疆真空鍍膜設(shè)備哪家好

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