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廣東騰工米尼真空鍍膜設(shè)備有限公司

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-01-17

【真空鍍膜二極濺射與磁控濺射對(duì)比】: 靶材利用率(TU):是指發(fā)生濺射的靶材質(zhì)量占原靶材質(zhì)量的比率。 公式表示:靶材利用率={原靶材質(zhì)量(Kg)—濺射后靶材質(zhì)量}/原靶材質(zhì)量 注:①:磁控濺射靶材利用率稍低,電壓要求低,電流會(huì)高,濺射率提高,增加生產(chǎn)效率,降低成本。 ②:靶材使用壽命結(jié)素之前必須及時(shí)更換新靶材,防止靶材周圍物質(zhì)發(fā)生濺射(金屬箔片、連接片、陰極) 兩種濺射技術(shù)的區(qū)別: ①:靶材利用率不同 ②:濺射腔室和陰極設(shè)計(jì)要求不同 ③:放電電流和放電電壓不同 ④:濺射率不同:磁控濺射有更短的沉積時(shí)間,更高的沉積量和更短沉積周期。紅外真空鍍膜設(shè)備制造商。廣東騰工米尼真空鍍膜設(shè)備有限公司

【真空鍍膜改善基片與膜的結(jié)合】: 1. 加強(qiáng)去油去污處理,如是超聲波清洗,重點(diǎn)考慮去油,若是手擦,考慮先用碳酸鈣粉擦再清擦; 2. 加強(qiáng)鍍前烘烤; 3. 有條件時(shí),機(jī)組安裝冷凝及(POLYCOLD); 4. 提高真空度; 5. 有條件時(shí),機(jī)組安裝離子源; 6. 膜料的去潮; 7. 保持工作環(huán)境的干燥; 8. 對(duì)于多層膜,在膜系設(shè)計(jì)時(shí),就要考慮第yi層膜與基片的匹配; 9. 采取研磨液復(fù)新去除鏡片表面的腐蝕層; 10. 有時(shí)候適當(dāng)降低蒸發(fā)速率對(duì)膜強(qiáng)度的提高有幫助,對(duì)提高膜表面光滑度有積極意義。 廣東騰工米尼真空鍍膜設(shè)備有限公司真空鍍膜設(shè)備廠家有哪些?

【真空鍍膜改善外層膜表面硬度】: 減反膜一般外層選用MgF2,該層剖面是較為松散的柱狀結(jié)構(gòu),表面硬度不高,容易擦拭出道子。改善外層表面硬度的方法包括: 1. 在膜系設(shè)計(jì)允許的條件下,膜外層加10nm左右的二氧化硅膜層,二氧化硅的表面光滑度優(yōu)于氟化鎂(但二氧化硅表面耐磨度、硬度不如氟化鎂)。鍍膜后離子轟擊幾分鐘,牢固度效果會(huì)更好。(但表面會(huì)變粗) 2. 鏡片取出真空室后,放置在較為干燥潔凈的地方,防止鏡片快速吸潮,表面硬度降低。

【真空鍍膜濺射種類】: 1、反應(yīng)濺射:氧化物,氮化物作為沉積物質(zhì) 現(xiàn)象:①:靶材分子分裂,其于工藝氣體離子發(fā)生反應(yīng),形成化合物 ②:膜層性能改變 ③:靶材有可能中毒 2、二極濺射:二極濺射是一種經(jīng)典的標(biāo)準(zhǔn)濺射技術(shù),其中等離子體和電子均只沿著電場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng)。 特征:①:無(wú)磁場(chǎng) ②:濺射率低 ③:放電電壓高(>500V) ④:鍍膜底物受熱溫度極易升高(>500°C) 用途:主要用于金屬靶材、絕緣靶材、磁性靶材等的濺射鍍。 3、磁控濺射:暗區(qū)無(wú)等離子體產(chǎn)生,在磁控濺射下,電子呈螺旋形運(yùn)動(dòng),不會(huì)直接沖向陽(yáng)極。而是在電場(chǎng)力和磁場(chǎng)力的綜合作用在腔室內(nèi)做螺旋運(yùn)動(dòng)。同時(shí)獲的能量而和工藝氣體以及濺射出的靶材原子進(jìn)行能量交換,使氣體及靶材原子離子化,dada提高氣體等離子體密度,從而提高了濺射速率(可提高10—20倍)和濺射均勻性。 真空鍍膜設(shè)備廠家前幾。

【近些年來(lái)出現(xiàn)的新的鍍膜方法】: 除蒸發(fā)法和濺射法外,人們又綜合了這兩種方法的優(yōu)缺點(diǎn),取長(zhǎng)補(bǔ)短,發(fā)展出一些新的方法,如:等離子體束濺射等。這種嶄新的技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效和濺射鍍的高性能特點(diǎn),特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面,具有其它手段無(wú)可比擬的優(yōu)點(diǎn)。高效率等離子體濺射(High Target Utilization Plasma Sputtering(HiTUS))實(shí)際上是由利用射頻功率產(chǎn)生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個(gè)濺射鍍膜系統(tǒng)。這種離子體源裝置在真空室的側(cè)面。如圖1所示。圖2為實(shí)際的鍍膜機(jī)照片。該等離子體束在電磁場(chǎng)的作用下被引導(dǎo)到靶上,在靶的表面形成高密度等離子體。同時(shí)靶連接有DC/RF偏壓電源,從而實(shí)現(xiàn)高效可控的等離子體濺射。等離子體發(fā)生裝置與真空室的分離設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)濺射工藝參數(shù)寬范圍可控的關(guān)鍵,而這種廣闊的可控性使得特定的應(yīng)用能確定工藝參數(shù)Zui優(yōu)化。 與通常的磁控濺射相比,由于磁控靶磁場(chǎng)的存在而在靶材表面形成刻蝕環(huán)不同,HiTUS系統(tǒng)由于取消了靶材背面的磁鐵,從而能對(duì)靶的材料實(shí)現(xiàn)全mian積均勻。 真空鍍膜設(shè)備怎么維修。湖北真空鍍膜設(shè)備功能

真空鍍膜設(shè)備詳細(xì)鍍膜方法。廣東騰工米尼真空鍍膜設(shè)備有限公司

【真空鍍膜真空的基本概念】: 真空的劃分: 粗真空 760Torr~10E&3Torr 高真空 10E&4Torr~10E&8Torr 超高真空 10E&9~10E&12 Torr 極高真空 <10E&12Torr 流導(dǎo)(導(dǎo)通量):表示真空管道通過(guò)氣體的能力,單位為升/秒(L/S)。一般情況下,管道越短,直徑越大,表面越光滑,越直的管道流導(dǎo)也越大。 流量:?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)流過(guò)任意截面的氣體量,單位為Torr·L/s或Pa·L/s。 抽氣速率:在一定的壓強(qiáng)和溫度下,單位時(shí)間內(nèi)由泵進(jìn)氣口處抽走的氣體稱為抽氣速率,簡(jiǎn)稱抽速。單位一般為L(zhǎng)/S或m3/hr或CFM。 極限真空:真空容器經(jīng)充分抽氣后,穩(wěn)定在某一真空度,此真空度稱為極限真空。廣東騰工米尼真空鍍膜設(shè)備有限公司

成都國(guó)泰真空設(shè)備有限公司位于成都海峽兩岸科技產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)園科林西路618號(hào)。公司業(yè)務(wù)涵蓋光學(xué)鍍膜設(shè)備,真空鍍膜設(shè)備,光學(xué)真空鍍膜機(jī),紅外鍍膜設(shè)備等,價(jià)格合理,品質(zhì)有保證。公司將不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力,努力學(xué)習(xí)行業(yè)知識(shí),遵守行業(yè)規(guī)范,植根于機(jī)械及行業(yè)設(shè)備行業(yè)的發(fā)展。國(guó)泰真空秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實(shí)”的經(jīng)營(yíng)理念,全力打造公司的重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。