二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時(shí)阻斷（稱為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實(shí)際上二極管并不會(huì)表現(xiàn)出如此完美的開與關(guān)的方向性，而是較為復(fù)雜的非線性電子特征——這是由特定類型的二極管技術(shù)決定的。二極管使用上除了用做開關(guān)的方式之外還有很多其他的功能。早期的二極管包含“貓須晶體（"CatsWhisker"Crystals）”以及真空管(英國稱為“熱游離閥（ThermionicValves）”)?，F(xiàn)今普遍的二極管大多是使用半導(dǎo)體材料如硅或鍺。1、正向性外加正向電壓時(shí)，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。這個(gè)不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場被克服，二極管正向?qū)?，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi)，導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變，這個(gè)電壓稱為二極管的正向電壓。2、反向性外加反向電壓不超過一定范圍時(shí)，通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。這個(gè)反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流。常用來觸發(fā)雙向可控硅，在電路中作過壓保護(hù)等用途。黑龍江優(yōu)勢二極管模塊現(xiàn)貨

其中有一條就是溫度高低變化時(shí)三極管的靜態(tài)電流不能改變，即VT1基極電流不能隨溫度變化而改變，否則就是工作穩(wěn)定性不好。了解放大器的這一溫度特性，對理解VD1構(gòu)成的溫度補(bǔ)償電路工作原理非常重要。2）三極管VT1有一個(gè)與溫度相關(guān)的不良特性，即溫度升高時(shí)，三極管VT1基極電流會(huì)增大，溫度愈高基極電流愈大，反之則小，顯然三極管VT1的溫度穩(wěn)定性能不好。由此可知，放大器的溫度穩(wěn)定性能不良是由于三極管溫度特性造成的。2．三極管偏置電路分析電路中，三極管VT1工作在放大狀態(tài)時(shí)要給它一定的直流偏置電壓，這由偏置電路來完成。電路中的R1、VD1和R2構(gòu)成分壓式偏置電路，為三極管VT1基極提供直流工作電壓，基極電壓的大小決定了VT1基極電流的大小。如果不考慮溫度的影響，而且直流工作電壓+V的大小不變，那么VT1基極直流電壓是穩(wěn)定的，則三極管VT1的基極直流電流是不變的，三極管可以穩(wěn)定工作。在分析二極管VD1工作原理時(shí)還要搞清楚一點(diǎn)：VT1是NPN型三極管，其基極直流電壓高，則基極電流大；反之則小。3．二極管VD1溫度補(bǔ)償電路分析根據(jù)二極管VD1在電路中的位置，對它的工作原理分析思路主要說明下列幾點(diǎn)：1）VD1的正極通過R1與直流工作電壓+V相連。黑龍江優(yōu)勢二極管模塊現(xiàn)貨此時(shí)它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。

溫敏二極管PN結(jié)的壓降是溫度的函數(shù)，溫度每升高一度，溫敏二極管PN結(jié)正向壓降下降2mV。用于測溫電路。精密二極管簡稱PD，精密二極管是一種具有穩(wěn)定電壓和穩(wěn)定電流的高精度二極管。它的工作溫度寬，線性好，穩(wěn)定性非常高。常用于各種電子路中的恒流源或恒壓源。光敏二極管有光照時(shí)，電阻小，電流大，無光照時(shí)，電阻大，電流小紅外發(fā)射二極管紅外發(fā)光二極管是一種能發(fā)出紅外線的二極管，通常應(yīng)用于遙控器等場合激光二極管激光二極管的特色之一，是能直接從電流調(diào)制其輸出光的強(qiáng)弱。因?yàn)檩敵龉夤β逝c輸入電流之間多為線性關(guān)系，所以激光二極管可以采用模擬或數(shù)字電流直接調(diào)制輸出光的強(qiáng)弱防雷二極管常常用來保護(hù)對電壓很敏感的電信設(shè)備，防止雷擊和設(shè)備開關(guān)動(dòng)作時(shí)產(chǎn)生的瞬態(tài)浪涌電壓將它們損壞。GDT是高阻抗的元件檢波二極管檢波二極管是用于把疊加在高頻載波上的低頻信號檢出來的器件。

而它的負(fù)極通過R2與地線相連，這樣VD1在直流工作電壓+V的作用下處于導(dǎo)通狀態(tài)。理解二極管導(dǎo)通的要點(diǎn)是：正極上電壓高于負(fù)極上電壓。2）利用二極管導(dǎo)通后有一個(gè)，因?yàn)橥ㄟ^調(diào)整R1和R2的阻值大小可以達(dá)到VT1基極所需要的直流工作電壓，根本沒有必要通過串入二極管VD1來調(diào)整VT1基極電壓大小。3）利用二極管的管壓降溫度特性可以正確解釋VD1在電路中的作用。假設(shè)溫度升高，根據(jù)三極管特性可知，VT1的基極電流會(huì)增大一些。當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管VD1的管壓降會(huì)下降一些，VD1管壓降的下降導(dǎo)致VT1基極電壓下降一些，結(jié)果使VT1基極電流下降。由上述分析可知，加入二極管VD1后，原來溫度升高使VT1基極電流增大的，現(xiàn)在通過VD1電路可以使VT1基極電流減小一些，這樣起到穩(wěn)定三極管VT1基極電流的作用，所以VD1可以起溫度補(bǔ)償?shù)淖饔谩?）三極管的溫度穩(wěn)定性能不良還表現(xiàn)為溫度下降的過程中。在溫度降低時(shí)，三極管VT1基極電流要減小，這也是溫度穩(wěn)定性能不好的表現(xiàn)。接入二極管VD1后，溫度下降時(shí)，它的管壓降稍有升高，使VT1基極直流工作電壓升高，結(jié)果VT1基極電流增大，這樣也能補(bǔ)償三極管VT1溫度下降時(shí)的不穩(wěn)定。4．電路分析細(xì)節(jié)說明電路分析的細(xì)節(jié)說明如下。1）在電路分析中。平面型二極管在脈沖數(shù)字電路中作開關(guān)管使用時(shí)PN結(jié)面積小，用于大功率整流時(shí)PN結(jié)面積較大。

外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。[5]當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，PN結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。[5]二極管PN結(jié)形成原理P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。P型和N型半導(dǎo)體因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子，它與周圍的硅原子形成共價(jià)鍵，因缺少一個(gè)電子，在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位，當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這個(gè)空位，使硼原子成了不能移動(dòng)的負(fù)離子，而原來的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個(gè)電子，形成了空穴，但整個(gè)半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。[6]N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價(jià)鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內(nèi)。貴州國產(chǎn)二極管模塊直銷價(jià)

在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止?fàn)顟B(tài)，如同一只斷開的開關(guān)。黑龍江優(yōu)勢二極管模塊現(xiàn)貨

1N5399硅整流二極管1000V,,1N5400硅整流二極管50V,3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)1N5401硅整流二極管100V,3A,1N5402硅整流二極管200V,3A,1N5403硅整流二極管300V,3A,1N5404硅整流二極管400V,3A,1N5405硅整流二極管500V,3A,1N5406硅整流二極管600V,3A,1N5407硅整流二極管800V,3A,1N5408硅整流二極管1000V,3A,1S1553硅開關(guān)二極管70V,100mA,300mW,,1S1554硅開關(guān)二極管55V,100mA,300mW,,1S1555硅開關(guān)二極管35V,100mA,300mW,,1S2076硅開關(guān)二極管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,Ir≤1uA,Vf≤,≤,1S2076A硅開關(guān)二極管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,60V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,1S2471硅開關(guān)二極管80V,Ir≤≤,≤2PF,1S2471B硅開關(guān)二極管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,1S2471V硅開關(guān)二極管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,1S2472硅開關(guān)二極管50V,Ir≤≤,≤2PF,1S2473硅開關(guān)二極管35V,Ir≤≤,≤3PF,1S2473H硅開關(guān)二極管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2AN1二極管5A,f=100KHz2CK100硅開關(guān)二極管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2CK101硅開關(guān)二極管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK102硅開關(guān)二極管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK103硅開關(guān)二極管20V,100mA,2PF,100ma,2CK104硅開關(guān)二極管35V。黑龍江優(yōu)勢二極管模塊現(xiàn)貨