晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導體結(jié)構(gòu)，它有三個極：陽極，陰極和控制極；晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。工作原理晶閘管在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管為半控型電力電子器件，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽極電壓時，在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)，這就是晶閘管的閘流特性，即可控特性。3.晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，晶閘管保持導通，即晶閘管導通后，門極失去作用。門極只起觸發(fā)作用。4.晶閘管在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，晶閘管關斷。晶閘管為半控型電力電子器件。中國澳門晶閘管模塊生產(chǎn)廠家

對其在脈沖脈沖功率電源領域中的應用研究很少，尚處于試驗探索階段。[1]在大功率半導體開關器件中，晶閘管是具有**高耐壓容量與**大電流容量的器件。國內(nèi)外主要制作的大功率晶閘管都是應用在高壓直流輸電中。所制造出的大功率晶閘管，**大直徑可達6英寸，單閥片耐壓值**高可達11KV，的通流能力**高可達4500A。在該領域比較**的有瑞士的ABB以及國內(nèi)的株洲南車時代。[1]為提高晶閘管的通流能力、開通速度、di/dt承受能力，國外在普通晶閘管的基礎上研制出了兩種新型的晶閘管：門極關斷晶閘管GTO以及集成門極換流晶閘管IGCT。這兩種器件都已經(jīng)在國外投入實際使用。其中GTO的單片耐壓可達，工況下通流能力可達4kA，而目前研制出的在電力系統(tǒng)中使用的IGCT的**高耐壓可達10kV，通流能力可達。[1]針對脈沖功率電源中應用的晶閘管，國內(nèi)還沒有廠家在這方面進行研究，在國際上具有**技術的是瑞士ABB公司。他們針對脈沖功率電源用大功率晶閘管進行了十數(shù)年的研究。目前采用的較成熟的器件為GTO，其直徑為英寸，單片耐壓為，通常3個閥片串聯(lián)工作?？梢猿惺艿碾娏鞣逯禐?20kA/90us，電流上升率di/dt**高可承受。門極可承受觸發(fā)電流**大值為800A，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為400A/us。中國澳門晶閘管模塊生產(chǎn)廠家晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和。

當選擇替代晶閘管，無論什么參數(shù)，不要有太多的左邊距，它應該是盡可能接近的取代晶閘管的參數(shù)，由于過度保證金不造成浪費，而且有時副作用，即沒有觸發(fā)，或不敏感等。另外，還要留意兩個晶閘管的外形要相同，否則會給企業(yè)安裝管理工作發(fā)展帶來一些不利。晶閘管的工作原理的陽極A和陰極K，其陽極A和陰極K與電源和負載連接，形成晶閘管的主電路，晶閘管的柵極G和陰極與控制晶閘管的裝置連接，形成晶閘管的控制電路。晶閘管的工作條件：1.當晶閘管承受反向陽極電壓時，無論門極電壓是多少，晶閘管都會被關閉。2.當所述晶閘管的陽極電壓是正向，在晶閘管的柵極電壓是正向傳導只的情況。3.晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向影響陽極工作電壓，不論門極電壓以及如何，晶閘管同時保持導通，即晶閘管導通后，門極失去重要作用。4.在晶閘管被導通，當所述主回路電壓（或電流）被減小到接近零，晶閘管關斷。

下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當黑表筆接G極，紅表筆接K極時，電阻呈低阻值，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。（此處指的模擬表，電子式萬用表紅表筆與電池正極相連，模擬表紅表筆與電池負極相連）光控晶閘管晶閘管光控晶閘管（LightTriggeredThyristor——LTT），又稱光觸發(fā)晶閘管。國內(nèi)也稱GK型光開關管，是一種光敏器件。1．光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個電極：控制極G、陽極A和陰極K。而光控晶閘管由于其控制信號來自光的照射，沒有必要再引出控制極，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K）。但它的結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構(gòu)成。從外形上看，光控晶閘管亦有受光窗口，還有兩條管腳和殼體，酷似光電二極管。2．光控晶閘管的工作原理當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓，陰極加上負向電壓時，控晶閘管可以等效成的電路。可推算出下式：Ia=Il/[1-（a1+a2）]式中，Il為光電二極管的光電流；Ia為光控晶閘管陽極電流，即光控晶閘管的輸出電流；a1、a2分別為BGl、BG2的電流放大系數(shù)。由上式可知。晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于關斷狀態(tài)。

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導致發(fā)生損壞器件的事故。影響串聯(lián)運行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個：1、靜態(tài)伏安特性對靜態(tài)均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大，串聯(lián)使用時會使電壓分配不均衡。同時，半導體器件的伏安特性容易受溫度的影響，不同的結(jié)溫也會使均壓性能受到影響。[1]2、關斷電荷和開通時間等動態(tài)特性對動態(tài)均壓的影響。晶閘管串聯(lián)運行，延遲時間不同，門極觸發(fā)脈沖的大小不同，都會導致閥片的開通適度不同。閥片的開通速度不同，會引起動態(tài)電壓的不均衡。同時關斷時間的差異也會造成各晶閘管不同時關斷的現(xiàn)象。關斷電荷少，則易關斷，關斷時間也短，先關斷的元件必然承受**高的動態(tài)電壓。[1]晶閘管串聯(lián)技術的根本目的的是保證動、靜態(tài)特性不同的晶閘管在串聯(lián)后能夠安全穩(wěn)定運行且都得到充分的利用。這就涉及到串聯(lián)晶閘管的元件保護、動態(tài)和靜態(tài)均壓、觸發(fā)一致性、反向恢復過電壓的抑制、開通關斷緩沖等一系列問題。[1]主要參數(shù)/晶閘管編輯為了正確選用晶閘管元件，必須要了解它的主要參數(shù)，一般在產(chǎn)品的目錄上都給出了參數(shù)的平均值或極限值，產(chǎn)品合格證上標有元件的實測數(shù)據(jù)。。晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結(jié)，可以把它中間的NP分成兩部分。中國澳門晶閘管模塊生產(chǎn)廠家

晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。中國澳門晶閘管模塊生產(chǎn)廠家

晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規(guī)格時應留出適當裕量。推薦選擇如下：阻性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍。感性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍。2、導通角要求模塊在較小導通角時（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值，但有效值會超過模塊標稱值的幾倍。因此，要求模塊應在較大導通角下（100度以上）工作。3、控制電源要求（1）電壓為DC12V±；紋波電壓≤30mV；輸出電流≥1A；（2）可以采用開關電源，也可采用線性電源（即變壓器整流式穩(wěn)壓電源）。開關電源外殼應帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。（3）控制電源極性要求正確接入模塊控制端口，嚴禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求（1）工作場所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃。（2）模塊周圍應干燥、通風、遠離熱源、無塵、無腐蝕性液體或氣體。中國澳門晶閘管模塊生產(chǎn)廠家