本實用新型將整流橋和系統(tǒng)其他功能芯片集成封裝，節(jié)約系統(tǒng)多芯片封裝成本，并有助于系統(tǒng)小型化。綜上所述，本實用新型提供一種合封整流橋的封裝結構及電源模組，包括：塑封體，設置于所述塑封體邊緣的火線管腳、零線管腳、高壓供電管腳、信號地管腳、漏極管腳、采樣管腳，以及設置于所述塑封體內的整流橋、功率開關管、邏輯電路、至少兩個基島；其中，所述整流橋包括四個整流二極管，各整流二極管的正極和負極分別通過基島或引線連接至對應管腳；所述邏輯電路連接對應管腳，產生邏輯控制信號；所述功率開關管的柵極連接所述邏輯控制信號，漏極及源極分別連接對應管腳；所述功率開關管及所述邏輯電路分立設置或集成于控制芯片內。本實用新型的合封整流橋的封裝結構及電源模組將整流橋、功率開關管、邏輯電路通過一個引線框架封裝在同一個塑封體中，以此減小封裝成本。所以，本實用新型有效克服了現(xiàn)有技術中的種種缺點而具高度產業(yè)利用價值。上述實施例例示性說明本實用新型的原理及其功效，而非用于限制本實用新型。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本實用新型的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此。整流橋的上述特性可等效成對應于輸入電壓頻率的占空比大約為30%。河南進口整流橋模塊聯(lián)系人

生產廠家都會提供該器件在自然冷卻情況下的結—環(huán)境的熱阻（Rja）和當元器件自帶一散熱器，通過散熱器進行器件冷卻的結--殼熱阻（Rjc）。2整流橋模塊的結構特點1、鋁基導熱底板：其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結支撐和導熱通道，并作為整個模塊的結構基礎。因此，它必須具有高導熱性和易焊性。由于它要與DBC基板進行高溫焊接，又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)鋁為16．7×10-6／℃，DBC約不5．6×10-6／℃)相差較大，為此，除需采用摻磷、鎂的銅銀合金外，并在焊接前對銅底板要進行一定弧度的預彎，這種存在s一定弧度的焊成品，能在模塊裝置到散熱器上時，使它們之間有充分的接觸，從而降低模塊的接觸熱阻，保證模塊的出力。2、DBC基板：它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成，它具有優(yōu)良的導熱性、絕緣性和易焊性，并有與硅材料較接近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4．2×10-6／℃，DBC為5．6×10-6／℃)，因而可以與硅芯片直接焊接，從而簡化模塊焊接工藝和降低熱阻。同時，DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形，以用作主電路端子和控制端子的焊接支架，并將銅底板和電力半導體芯片相互電氣絕緣。湖南整流橋模塊直銷價多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產生的諧波相互抵消。

高壓端口hv通過金屬引線連接所述高壓供電基島13，進而實現(xiàn)與所述高壓供電管腳hv的連接，接地端口gnd通過金屬引線連接所述信號地基島14，進而實現(xiàn)與所述信號地管腳gnd的連接。需要說明的是，所述邏輯電路122可根據(jù)設計需要設置在不同的基島上，與所述控制芯片12的設置方式類似，在此不一一贅述作為本實施例的一種實現(xiàn)方式，所述漏極管腳drain的寬度大于，進一步設置為～1mm，以加強散熱，達到封裝熱阻的作用。本實施例的合封整流橋的封裝結構采用三基島架構，將整流橋、功率開關管、邏輯電路及高壓續(xù)流二極管集成在一個引線框架內，由此降低封裝成本。如圖4所示，本實施例還提供一種電源模組，所述電源模組包括：本實施例的合封整流橋的封裝結構1，第二電容c2，第三電容c3，一電感l(wèi)1，負載及第二采樣電阻rcs2。如圖4所示，所述合封整流橋的封裝結構1的火線管腳l連接火線，零線管腳n連接零線，信號地管腳gnd接地。如圖4所示，所述第二電容c2的一端連接所述合封整流橋的封裝結構1的高壓供電管腳hv，另一端接地。如圖4所示，所述第三電容c3的一端連接所述1高壓供電管腳hv，另一端經由所述一電感l(wèi)1連接所述合封整流橋的封裝結構1的漏極管腳drain。如圖4所示。

所述第六電容c6的一端連接所述合封整流橋的封裝結構1的高壓供電管腳hv，另一端連接所述合封整流橋的封裝結構1的電源地管腳bgnd。具體地，所述第二電感l(wèi)2連接于所述合封整流橋的封裝結構1的電源地管腳bgnd與信號地管腳gnd之間。需要說明的是，本實施例增加所述電源地管腳bgnd實現(xiàn)整流橋的接地端與所述邏輯電路122的接地端分開，通過外置電感實現(xiàn)emi濾波，減小電磁干擾。同樣適用于實施例一及實施例三的電源模組，不限于本實施例。需要說明的是，所述整流橋的設置方式、所述功率開關管與所述邏輯電路的設置方式，以及各種器件的組合可根據(jù)需要進行設置，不以本實用新型列舉的幾種實施例為限。另外，由于應用的多樣性，本實用新型主要針對led驅動領域的三種使用整流橋的拓撲進行了示例，類似的結構同樣適用于充電器/適配器等ac-dc電源領域等，尤其是功率小于25w的中小功率段應用，本領域的技術人員很容易將其推廣到其他使用了整流橋的應用領域。本實用新型的拓撲涵蓋led驅動的高壓線性、高壓buck、flyback三個應用，并可以推廣到ac-dc充電器/適配器領域；同時，涵蓋了分立高壓mos與控制器合封、高壓mos與控制器一體單晶的兩種常規(guī)應用。限制蓄電池電流倒轉回發(fā)動機，保護交流發(fā)動機不被燒壞。

整流橋（D25XB60）內部主要是由四個二極管組成的橋路來實現(xiàn)把輸入的交流電壓轉化為輸出的直流電壓。在整流橋的每個工作周期內，同一時間只有兩個二極管進行工作，通過二極管的單向導通功能，把交流電轉換成單向的直流脈動電壓。對一般常用的小功率整流橋（如：RECTRONSEMICONDUCTOR的RS2501M）進行解剖會發(fā)現(xiàn)，其內部的結構如圖2所示，該全波整流橋采用塑料封裝結構（大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式）。橋內的四個主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板，他們分別與輸入引**流輸入導線）相連，形成我們在外觀上看見的有四個對外連接引腳的全波整流橋。由于該系列整流橋都是采用塑料封裝結構，在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導線的周圍充滿了作為絕緣、導熱的骨架填充物質——環(huán)氧樹脂。然而，環(huán)氧樹脂的導熱系數(shù)是比較低的（一般為℃W/m，比較高為℃W/m），因此整流橋的結--殼熱阻一般都比較大（通常為℃/W）。通常情況下，在元器件的相關參數(shù)表里，生產廠家都會提供該器件在自然冷卻情況下的結—環(huán)境的熱阻（Rja）和當元器件自帶一散熱器，通過散熱器進行器件冷卻的結--殼熱阻。整流橋就是將整流管封在一個殼內了。哪里有整流橋模塊商家

流橋的構造如，可以將輸入的含有負電壓的波形轉換成正電壓。河南進口整流橋模塊聯(lián)系人

n型二極管的下層為n型摻雜區(qū)，上層為p型摻雜區(qū)，下層底面鍍銀，上層頂面鍍鋁；第三整流二極管dz3及第四整流二極管dz4為p型二極管，p型二極管的下層為p型摻雜區(qū)，上層為n型摻雜區(qū)，下層底面鍍銀，上層頂面鍍鋁。所述一整流二極管dz1的負極(金屬銀層)通過導電膠或錫膏粘接于高壓供電基島13上，正極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述零線管腳n。所述第二整流二極管dz2的負極(金屬銀層)通過導電膠或錫膏粘接于所述高壓供電基島13上，正極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述火線管腳l。所述第三整流二極管dz3的正極(金屬銀層)通過導電膠或錫膏粘接于信號地基島14上，負極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述零線管腳n。所述第四整流二極管dz4的正極(金屬銀層)通過導電膠或錫膏粘接于所述信號地基島14上，負極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述火線管腳l。需要說明的是，所述整流二極管可以是由單一pn結構成的二極管，也可以是通過其他形式等效得到的二極管結構，包括但不限于mos管，在此不一一贅述。需要說明的是，本實用新型中所述的“連接至管腳”包括但不限于通過金屬引線直接連接管腳(金屬引線的一端設置在管腳上)，還包括通過金屬引線連接與管腳連接的導電部件。河南進口整流橋模塊聯(lián)系人