100mA,10nS,2PF,225ma,2CK105硅開關(guān)二極管35V,100mA,4nS,2PF,225ma,2CK106硅開關(guān)二極管75V,100mA,4nS,2PF,100ma,2CK107硅開關(guān)二極管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,2CK108硅開關(guān)二極管70V,100mA,300mW,,2CK109硅開關(guān)二極管35V,100mA,300mW,,2CK110硅開關(guān)二極管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,2CK111硅開關(guān)二極管55V,100mA,300mW,,2CK150硅開關(guān)二極管15V,Ir≤25nA,Vf≤,≤2PF,2CK161硅開關(guān)二極管15V,Ir≤25nA,Vf≤,≤2PF,2CK4148硅開關(guān)二極管75V,Ir≤25nA,Vf=1V,4PF,2CK2076硅開關(guān)二極管35V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,2CK2076A硅開關(guān)二極管60V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,2CK2471硅開關(guān)二極管80V,Ir≤≤,≤2PF,2CK2472硅開關(guān)二極管50V,Ir≤≤,≤2PF,2CK2473硅開關(guān)二極管35V,Ir≤≤,≤3PF,2CN1A硅二極管400V,1A,f=100KHz,2CN1B硅二極管100V,1A,f=100KHz,2CN3硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3D硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3E硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3F硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3G硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3H硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3I硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3K硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN4D硅二極管V,,2CN5D硅二極管V,,f=100KHz,2CN6硅二極管V,1A,f=100KHz,2CP1553硅二極管Ir≤≤,≤。二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件。廣西國產(chǎn)二極管模塊代理品牌

對于常用的硅二極管而言導(dǎo)通后正極與負極之間的電壓降為。根據(jù)二極管的這一特性，可以很方便地分析由普通二極管構(gòu)成的簡易直流穩(wěn)壓電路工作原理。3只二極管導(dǎo)通之后，每只二極管的管壓降是，那么3只串聯(lián)之后的直流電壓降是×3=。3．故障檢測方法檢測這一電路中的3只二極管為有效的方法是測量二極管上的直流電壓，如圖9-41所示是測量時接線示意圖。如果測量直流電壓結(jié)果是，說明3只二極管工作正常；如果測量直流電壓結(jié)果是0V，要測量直流工作電壓+V是否正常和電阻R1是否開路，與3只二極管無關(guān)，因為3只二極管同時擊穿的可能性較??；如果測量直流電壓結(jié)果大于，檢查3只二極管中有一只開路故障。圖9-41測量二極管上直流電壓接線示意圖4．電路故障分析如表9-40所示是這一二極管電路故障分析：表9-40二極管電路故障分析5．電路分析細節(jié)說明關(guān)于上述二極管簡易直流電壓穩(wěn)壓電路分析細節(jié)說明如下。1）在電路分析中，利用二極管的單向?qū)щ娦钥梢灾蓝O管處于導(dǎo)通狀態(tài)，但是并不能說明這幾只二極管導(dǎo)通后對電路有什么具體作用，所以只利用單向?qū)щ娞匦赃€不能夠正確分析電路工作原理。2）二極管眾多的特性中只有導(dǎo)通后管壓降基本不變這一特性能夠為合理地解釋這一電路的作用。遼寧哪里有二極管模塊大概價格多少晶體二極管為一個由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。

導(dǎo)通電壓UD約為。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏[4]。二極管正向特性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。這個不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。[4]當正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場被克服，二極管正向?qū)ǎ娏麟S電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi)，導(dǎo)通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。[4]當二極管兩端的正向電壓超過一定數(shù)值，內(nèi)電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向?qū)?。叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為，鍺管約為。硅二極管的正向?qū)▔航导s為，鍺二極管的正向?qū)▔航导s為。[4]二極管反向特性外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態(tài)。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流。

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級，小功率鍺管在μA數(shù)量級。溫度升高時，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞婚L久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數(shù)值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子。此時它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。

沒有高到讓外接的二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，理由是：如果集成電路A1的①腳輸出的直流電壓足夠高，那么VD1、VD2和VD3導(dǎo)通，其導(dǎo)通后的內(nèi)阻很小，這樣會將集成電路A1的①腳輸出的交流信號分流到地，對信號造成衰減，顯然這一電路中不需要對信號進行這樣的衰減，所以從這個角度分析得到的結(jié)論是：集成電路A1的①腳輸出的直流電壓不會高到讓VD1、VD2和VD3導(dǎo)通的程度。4）從集成電路A1的①腳輸出的是直流和交流疊加信號，通過電阻R1與三極管VT1基極，VT1是NPN型三極管，如果加到VT1基極的正半周交流信號幅度出現(xiàn)很大的現(xiàn)象，會使VT1的基極電壓很大而有燒壞VT1的危險。加到VT1基極的交流信號負半周信號幅度很大時，對VT1沒有燒壞的影響，因為VT1基極上負極性信號使VT1基極電流減小。5）通過上述電路分析思路可以初步判斷，電路中的VD1、VD2、VD3是限幅保護二極管電路，防止集成電路A1的①腳輸出的交流信號正半周幅度太大而燒壞VT1。從上述思路出發(fā)對VD1、VD2、VD3二極管電路進一步分析，分析如果符合邏輯，可以說明上述電路分析思路是正確的。2．二極管限幅電路分析各種限幅電路工作是有方法的，將信號的幅度分兩種情況：1）信號幅度比較小時的電路工作狀態(tài)。因此，二極管的導(dǎo)通和截止，則相當于開關(guān)的接通與斷開。中國澳門優(yōu)勢二極管模塊銷售廠

阻尼二極管多用在高頻電壓電路中，能承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流。廣西國產(chǎn)二極管模塊代理品牌

若能運用元器件的某一特性去合理地解釋它在電路中的作用，說明電路分析很可能是正確的。例如，在上述電路分析中，只能用二極管的溫度特性才能合理解釋電路中VD1的作用。2）溫度補償電路的溫度補償是雙向的，即能夠補償由于溫度升高或降低而引起的電路工作的不穩(wěn)定性。3）分析溫度補償電路工作原理時，要假設(shè)溫度的升高或降低變化，然后分析電路中的反應(yīng)過程，得到正確的電路反饋結(jié)果。在實際電路分析中，可以只設(shè)溫度升高進行電路補償?shù)姆治觯槐卦俜治鰷囟冉档蜁r電路補償?shù)那闆r，因為溫度降低的電路分析思路、過程是相似的，只是電路分析的每一步變化相反。4）在上述電路分析中，VT1基極與發(fā)射極之間PN結(jié)（發(fā)射結(jié)）的溫度特性與VD1溫度特性相似，因為它們都是PN結(jié)的結(jié)構(gòu)，所以溫度補償?shù)慕Y(jié)果比較好。5）在上述電路中的二極管VD1，對直流工作電壓+V的大小波動無穩(wěn)定作用，所以不能補償由直流工作電壓+V大小波動造成的VT1管基極直流工作電流的不穩(wěn)定性。5．故障檢測方法和電路故障分析這一電路中的二極管VD1故障檢測方法比較簡單，可以用萬用表歐姆檔在路測量VD1正向和反向電阻大小的方法。當VD1出現(xiàn)開路故障時，三極管VT1基極直流偏置電壓升高許多。廣西國產(chǎn)二極管模塊代理品牌