礦用低壓接線盒:礦井安全的守護(hù)者
礦用高壓接線盒:守護(hù)礦業(yè)安全,行業(yè)創(chuàng)新
礦用高壓接線盒技術(shù)創(chuàng)新,礦業(yè)電氣安全新篇章
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“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕!五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機(jī)IACECHINA2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(PMCHINA)、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(MMICCHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(AMCHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會(POWDEXCHINA)同期同地舉辦。五展聯(lián)動,串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈,吸引更多的觀眾群體,形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技,又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺。本屆展會(2025年)展覽面積將超過50,000平方米,中外展商約900家,參展品牌1500個,國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達(dá)到70,000人次。誠邀您蒞臨參觀!2025年3月10日中國?國際先進(jìn)陶瓷展,匯聚眾多國內(nèi)外杰出供應(yīng)商和制造商,誠邀您蒞臨上海探索無限商機(jī)。2024第十六屆上海國際先進(jìn)陶瓷發(fā)展前沿論壇
碳化硅外延制作方法包括化學(xué)氣相沉積法(CVD)、分子束外延法(MBE)、液相外延法(LPE)、脈沖激光淀積和升華法(PLD)等。其中CVD法較為普及,該方法能精確控制生長條件,包括氣體源流量、溫度和壓力,從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類型,重復(fù)性良好,設(shè)備適中,為目前主流技術(shù)。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行,但外延制作的質(zhì)量、效率和成本均不如CVD法,不適合商業(yè)化應(yīng)用。碳化硅外延設(shè)備的密閉性、氣壓、氣體通入時間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升,厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加;外延層厚度增加,控制均勻性和缺陷密度的難度增加?!暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕!展會展覽面積將超過50,000平方米,中外展商約900家,參展品牌1500個,國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達(dá)到70,000人次。展會打通供需堵點,整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源,集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀!2024第十六屆上海國際先進(jìn)陶瓷發(fā)展前沿論壇業(yè)界精英云集中國國際先進(jìn)陶瓷展,為行業(yè)發(fā)展注入新動能。2025年3月10-12日,我們在上海等您!
將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液,氨水為沉淀劑,采用共沉淀法制備出釔穩(wěn)定氧化鋯粉體,加入一定比例的PVA,水為介質(zhì),濕法球磨,烘干、造粒,得到可成型的釔穩(wěn)定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓,然后在不同壓力下冷等靜壓成型,將制得的生坯在不同溫度下燒結(jié),并保溫不同時間,研究等靜壓壓力、燒結(jié)溫度、保溫時間對陶瓷密度、抗彎強度、硬度和斷裂韌性的影響?!暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機(jī)IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(PM CHINA)、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會(POWDEX CHINA)同期同地舉辦。五展聯(lián)動,串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈,吸引更多的觀眾群體,形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技,又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺。本屆展會(2025年)展覽面積將超過50,000平方米,中外展商約900家,參展品牌1500個,國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達(dá)到70,000人次。 誠邀您蒞臨參觀!
碳化硅襯底的電學(xué)性能決定了下游芯片功能與性能的優(yōu)劣,為滿足不同芯片功能需求,需制備不同電學(xué)性能的碳化硅襯底。按照電學(xué)性能的不同,碳化硅襯底可分為兩類:高電阻率(電阻率≥105Ω·cm)的半絕緣型碳化硅襯底,以及低電阻率(電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm)的導(dǎo)電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造氮化鎵射頻器件,通過生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片;導(dǎo)電型碳化硅襯底主要用于制造功率器件,需在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層?!暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕!誠邀您蒞臨參觀!“2025中國?國際先進(jìn)陶瓷展”為行業(yè)精英提供學(xué)術(shù)研究與應(yīng)用實踐的融合平臺,2025年3月10日上海見!
得益于碳化硅的物理特性,其功率器件較硅基器件具有更高的工作頻率、更高的能量轉(zhuǎn)換效率、更好的散熱能力。碳化硅功率器件和功能模塊廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、電源、軌道交通等領(lǐng)域。在新能源汽車領(lǐng)域,碳化硅功率器件主要用于電驅(qū)主逆變器、車載充電器(OBC)及DC-DC(直流—直流)轉(zhuǎn)換器。隨著新能源汽車需求增長及碳化硅功率器件的普及,其市場規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大。在光伏發(fā)電領(lǐng)域,碳化硅功率器件主要用于光伏逆變器,能提高能量轉(zhuǎn)換效率、降低能量損耗、增加功率密度并解決系統(tǒng)成本。隨著光伏電站電壓等級從1000V提升至1500V,未來將進(jìn)一步提升至1700V乃至2000V,在更高的電壓等級下,碳化硅功率器件的優(yōu)勢將更加突出?!暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕!展會展覽面積將超過50,000平方米,中外展商約900家,參展品牌1500個,國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達(dá)到70,000人次。展會打通供需堵點,整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源,集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀!敬請關(guān)注中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會,品牌精英齊聚盛會,傾情見證行業(yè)新輝煌,2025年3月10日上海見!上海國際先進(jìn)陶瓷裝備展
“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開幕。誠邀您蒞臨參觀!2024第十六屆上海國際先進(jìn)陶瓷發(fā)展前沿論壇
碳化硅單晶材料按電學(xué)性能分導(dǎo)電型和半絕緣型,而導(dǎo)電型對應(yīng)同質(zhì)外延,半絕緣型對應(yīng)異質(zhì)外延。同質(zhì)外延制成SBD(肖特基勢壘二極管)、MOSFET(縮寫為MOS,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)等功率器件,適用于電子電力領(lǐng)域如新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、光伏發(fā)電等;在導(dǎo)電型SiC襯底上生長SiC外延層可制得SiC外延片,用于各類功率器件。異質(zhì)外延制成HEMT(高電子遷徙率晶體管)等微波射頻器件,適用于高頻、高溫環(huán)境如5G通訊、雷達(dá)、國?防jun工等領(lǐng)域;在半絕緣型SiC襯底上生長GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件?!暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕!展會展覽面積將超過50,000平方米,中外展商約900家,參展品牌1500個,國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達(dá)到70,000人次。展會打通供需堵點,整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源,集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀!2024第十六屆上海國際先進(jìn)陶瓷發(fā)展前沿論壇