傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫擴散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴散系數(shù)低，需極高溫度，會惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實現(xiàn)離子注入?yún)^(qū)域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過調(diào)節(jié)注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設(shè)備是SiC產(chǎn)線難度較高的設(shè)備，全球設(shè)備廠商少、交期長，國產(chǎn)化率低于10%，是我國碳化硅晶圓線建設(shè)的較大瓶頸。國際主流廠商包括美國亞舍立（Axcelis）及應(yīng)用材料（收購瓦里安），日本愛發(fā)科及日清公司，國內(nèi)廠商主要有中國電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購IBS）和凱世通也在介入。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！敬請關(guān)注中國?國際先進陶瓷展覽會，品牌精英齊聚盛會，傾情見證行業(yè)新輝煌，2025年3月10日上海見！3月10日至12日中國上海市先進陶瓷專題論壇

半導體材料作為一種在常溫下導電性能介于絕緣體與導體之間的特殊物質(zhì)，在現(xiàn)代科技產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，被譽為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。從研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時間順序來看，半導體材料可分為三代。與以硅（Si）、鍺（Ge）為dai表的一代半導體和以砷化鎵（GaAs）為dai表的第二代半導體相比，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為dai表的第三代半導體具有高禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和漂移速率等特征，可以滿足科技發(fā)展對高溫、高功率、gao壓、高頻等復雜場景的器件要求?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等一應(yīng)俱全的產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀！3月10日至12日中國上海市先進陶瓷專題論壇“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”：2025年3月10-12日上海世博展覽館。誠邀您蒞臨參觀！

在半導體制造領(lǐng)域，增大晶片尺寸是提高半導體產(chǎn)品競爭力的關(guān)鍵途徑。對于同一規(guī)格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數(shù)量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據(jù)Wolfspeed測算，一片8英寸碳化硅晶片可以產(chǎn)出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進一步降低碳化硅芯片單位成本。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等一應(yīng)俱全的產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！

AlN有兩個非常重要的性能值得注意：一個是高的熱導率，一個是與Si相匹配的膨脹系數(shù)。缺點是即使在表面有非常薄的氧化層也會對熱導率產(chǎn)生影響，只有對材料和工藝進行嚴格控制才能制造出一致性較好的AlN基板。AlN生產(chǎn)技術(shù)國內(nèi)像斯利通這樣能大規(guī)模生產(chǎn)的少之又少，相對于Al2O3，AlN價格相對偏高許多，這個也是制約其發(fā)展的小瓶頸。不過隨著經(jīng)濟的提升，技術(shù)的升級，這種瓶頸終會消失。綜合以上原因，可以知道，氧化鋁陶瓷由于比較優(yōu)越的綜合性能，在微電子、功率電子、混合微電子、功率模塊等領(lǐng)域還是處于主導地位而被大量運用?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達到70,000人次。誠邀您蒞臨參觀！賦能品質(zhì)制造，探索萬千可能。中國?國際先進陶瓷展覽會承載業(yè)界期許，2025年3月10-12日誠邀您蒞臨參觀！

目前，陶瓷注射成型技術(shù)開始向精密化發(fā)展，研究與開發(fā)的重點由過去的高溫非氧化物陶瓷(如氮化硅、碳化硅)擴展為氧化物陶瓷(如氧化鋯、氧化鋁)、功能陶瓷、生物陶瓷產(chǎn)品，種類越來越多，其主要應(yīng)用領(lǐng)域如下。一、光通訊用精密陶瓷部件主要有光纖連接器用氧化鋯多晶陶瓷插芯和陶瓷套管。因為其尺寸小、精度高、內(nèi)孔直徑只有125微米，因此只能采用注射成型。目前光纖連接器所需陶瓷插芯和陶瓷套管主要由中國制造，而日本京瓷、東陶、Adamand等國外公司生產(chǎn)的產(chǎn)品在不斷減少。光纖連接器用陶瓷插芯與套管二、生物陶瓷制品主要包括人造陶瓷牙齒、種植牙陶瓷固定螺桿、人工關(guān)節(jié)、固定牙冠套、牙齒正畸用陶瓷托槽等，如圖3所示。據(jù)世界衛(wèi)生組織統(tǒng)計，牙齒畸形并發(fā)率約為49%，在美國50-60%的家庭都會進行牙齒正畸，必須配帶牙齒矯形托槽。采用陶瓷注射成型生產(chǎn)的該類產(chǎn)品尺寸精度高且性能良好，在國內(nèi)的市場前景開闊?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開幕。誠邀您蒞臨參觀！3月10日至12日上海國際先進陶瓷與粉末冶金展覽會

中國?國際先進陶瓷展覽會，匯聚前沿技術(shù)和產(chǎn)品，助力先進制造業(yè)發(fā)展。2025年3月10-12日上海世博展覽館見。3月10日至12日中國上海市先進陶瓷專題論壇

碳化硅襯底的電學性能決定了下游芯片功能與性能的優(yōu)劣，為滿足不同芯片功能需求，需制備不同電學性能的碳化硅襯底。按照電學性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，以及低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造氮化鎵射頻器件，通過生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片；導電型碳化硅襯底主要用于制造功率器件，需在導電型襯底上生長碳化硅外延層?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！誠邀您蒞臨參觀！3月10日至12日中國上海市先進陶瓷專題論壇