碳化硅外延制作方法包括化學氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類型，重復性良好，設備適中，為目前主流技術(shù)。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質(zhì)量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業(yè)化應用。碳化硅外延設備的密閉性、氣壓、氣體通入時間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！“中國?國際先進陶瓷展覽會”匯聚國內(nèi)外優(yōu)秀企業(yè)和業(yè)界精英；展會將于2025年3月10日上海世博展覽館開幕！3月6-8日先進陶瓷技術(shù)論壇

傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫擴散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴散系數(shù)低，需極高溫度，會惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實現(xiàn)離子注入?yún)^(qū)域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過調(diào)節(jié)注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設備是SiC產(chǎn)線難度較高的設備，全球設備廠商少、交期長，國產(chǎn)化率低于10%，是我國碳化硅晶圓線建設的較大瓶頸。國際主流廠商包括美國亞舍立（Axcelis）及應用材料（收購瓦里安），日本愛發(fā)科及日清公司，國內(nèi)廠商主要有中國電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購IBS）和凱世通也在介入?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！3月6日上海國際先進陶瓷論壇2025年3月10日，讓我們相聚中國?國際先進陶瓷展覽會，共商共享，共創(chuàng)未來。探索先進制造的萬千可能。

陶瓷是以粘土為主要原料，并與其他天然礦物經(jīng)過粉碎混煉、成型和煅燒制得的材料以及各種制品，是陶器和瓷器的總稱。陶瓷的傳統(tǒng)概念是指所有以粘土等無機非金屬礦物為原料的人工工業(yè)產(chǎn)品。它包括由粘土或含有粘土的混合物經(jīng)混煉、成形、煅燒而制成的各種制品。陶瓷的主要原料是取之于自然界的硅酸鹽礦物，因此它與玻璃、水泥、搪瓷、耐火材料等工業(yè)同屬于“硅酸鹽工業(yè)”的范疇。廣義上的陶瓷材料指的是除有機和金屬材料以外的其他所有材料，即無機非金屬材料。陶瓷制品的品種繁多，它們之間的化學成分、礦物組成、物理性質(zhì)，以及制 造方法，常常互相接近交錯，無明顯的界限，而在應用上卻有很大的區(qū)別。因此，很 難硬性地把它們歸納為幾個系統(tǒng)，詳細的分類法也說法不一，到現(xiàn)在國際上還沒有 一個統(tǒng)一的分類方法?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！ 誠邀您蒞臨參觀！

半導體材料作為一種在常溫下導電性能介于絕緣體與導體之間的特殊物質(zhì)，在現(xiàn)代科技產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，被譽為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。從研究和規(guī)?；瘧玫臅r間順序來看，半導體材料可分為三代。與以硅（Si）、鍺（Ge）為dai表的一代半導體和以砷化鎵（GaAs）為dai表的第二代半導體相比，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為dai表的第三代半導體具有高禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和漂移速率等特征，可以滿足科技發(fā)展對高溫、高功率、gao壓、高頻等復雜場景的器件要求。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等一應俱全的產(chǎn)品、服務和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀！賦能前沿智造，智領(lǐng)行業(yè)未來，“中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10日上海共創(chuàng)無限商機！

碳化硅下游應用場景眾多，包括新能源車、充電樁、光伏、儲能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等，而下游的需求放量情況會影響碳化硅的市場規(guī)模體量，比如新能源車的產(chǎn)銷量、充電樁的配套數(shù)量、光伏的裝機量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價格有所下降，但碳化硅功率器件價格仍遠高于硅基器件。下游應用領(lǐng)域需平衡碳化硅器件高價格與性能優(yōu)勢帶來的綜合成本，短期內(nèi)將限制碳化硅器件在功率器件領(lǐng)域的滲透率，大規(guī)模應用仍存挑戰(zhàn)。若下游存在放量不及預期的情況，將對上游碳化硅企業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)造成不利影響?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀！“中國?國際先進陶瓷展覽會：2025年3月10-12日上海世博展覽館，讓我們相聚上海，共同見證盛會開幕！2024第十六屆中國國際先進陶瓷產(chǎn)業(yè)博覽會

“中國?國際先進陶瓷展覽會”提高材料性能，創(chuàng)新技術(shù)工藝。2025年3月10日上海世博展覽館。誠邀您蒞臨！3月6-8日先進陶瓷技術(shù)論壇

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。無壓燒結(jié)在常壓下進行燒結(jié)，主要包括常規(guī)無壓燒結(jié)、兩步法燒結(jié)、兩段法燒結(jié)。1、常規(guī)無壓燒結(jié)將陶瓷坯體通過加熱裝置加熱到一定溫度，經(jīng)保溫后冷卻到室溫以制備陶瓷的方法。常規(guī)燒結(jié)采用高溫長時間、等燒結(jié)速率進行，此方法需要較高的燒結(jié)溫度（超過1000℃）和較長的保溫時間。如果燒結(jié)溫度較低，則不能夠形成足夠的液相填充坯體里的氣孔，材料晶界結(jié)合不好并且材料中存在較大的孔洞，此時材料的電性能較差；燒結(jié)溫度過高，可能導致晶界的移動速度過快，出現(xiàn)晶粒異常增大現(xiàn)象。2、兩步法燒結(jié)燒結(jié)流程為：陶瓷坯體通過加熱裝置加熱到一定溫度后不進行保溫，立即以很快的速度降溫到相對較低的溫度進行長時間的保溫。與常規(guī)燒結(jié)方法相比，兩步燒結(jié)法巧妙地通過控制溫度的變化，在抑制晶界遷移（這將導致晶粒長大）的同時，保持晶界擴散（這是坯體致密化的動力）處于活躍狀態(tài)，來實現(xiàn)晶粒不長大的前提下達到燒結(jié)的目的。3、兩段法燒結(jié)在相對較低的溫度下保溫一段時間，然后再在較高的溫度下保溫，后自然冷卻。用此工藝可以降低燒結(jié)溫度和縮短燒結(jié)時間，此方式可以用于燒結(jié)細晶鈦酸鋇陶瓷。3月6-8日先進陶瓷技術(shù)論壇