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1)同步電路:同步電路又稱觸發(fā)電路,它每秒鐘產(chǎn)生數(shù)十至數(shù)千個(gè)脈沖,用來觸發(fā)探傷儀掃描電路、發(fā)射電路等,使之步調(diào)一致、有條不紊地工作。因此,同步電路是整個(gè)探傷儀的“中樞”,同步電路出了故障,整個(gè)探傷儀便無法工作。
2〉掃描電路:見圖4-3,掃描電路又稱時(shí)基電路,用來產(chǎn)生鋸齒波電壓,加在示波管水平偏轉(zhuǎn)板上,使示波管熒光屏上的光點(diǎn)沿水平方向作等速移動(dòng),產(chǎn)生一條水平掃描時(shí)基線。探傷儀面板上的深度粗調(diào)、微調(diào)、掃描延遲旋鈕都是掃描電路的控制旋鈕。探傷時(shí),應(yīng)根據(jù)被探工件的探測(cè)深度范圍選擇適當(dāng)?shù)纳疃葯n級(jí),井配合微調(diào)旋鈕調(diào)整,使刻度板水平軸上每一格**一定的距離。掃描電路的方框圖及其波形見圖。 附近銷售大管超聲渦流設(shè)備的廠家;青島直縫大管超聲渦流設(shè)備價(jià)格
壓電勁度常數(shù)h:表示壓電晶體在電位移恒定的情況下由于應(yīng)變的變化所產(chǎn)生的相對(duì)開路電壓,或在應(yīng)變恒定的情況下,由于電位移變化所產(chǎn)生的相對(duì)應(yīng)力。其單位是牛頓/庫侖或伏/米。d 和e**著反壓電性能,故也稱壓電發(fā)射系數(shù),關(guān)系到壓電晶片發(fā)射靈敏度,d和e的值大,晶片發(fā)射性能好,表示對(duì)壓電晶片施加較小的電壓就可以產(chǎn)生較大的振動(dòng),從而獲得較強(qiáng)的超聲波。g和 h**著正壓電性能,故也稱壓電接收系數(shù),關(guān)系到壓電晶片接收靈敏度,g和h的值大,晶片接收性能好,表示接收到較弱的超聲波也能產(chǎn)生較大的電壓。以上四個(gè)壓電常數(shù)中,常數(shù)d用得較多也較容易實(shí)測(cè),其他各常數(shù)可以通過式4-7、式4-8、式4-9、式4-10的關(guān)系相互換算。在壓電陶瓷中,一般規(guī)定極化方向坐標(biāo)為3或Z,對(duì)于垂直于Z軸的另外二個(gè)坐標(biāo)軸規(guī)定為1和2或X和Y(由于壓電陶瓷在XY平面內(nèi)晶體是各向同性的,1和2可以互換)。Dss的腳標(biāo)表示在Z方向上施加電壓引起Z方向上的相對(duì)應(yīng)變,同樣gss表示在Z方向上施加應(yīng)力后引起z方向上產(chǎn)生的相對(duì)開路電壓。余此類推。在超聲探頭壓電晶片參數(shù)中Dss和 gs是重要的指標(biāo)。青島直縫大管超聲渦流設(shè)備價(jià)格超聲渦流設(shè)備要如何選擇?
實(shí)際使用的石英元件都是從石英晶體中按一定方向和切割方式截取的。由于石英晶體是各向異性的,即一塊石英晶體在不同方位上表現(xiàn)出來的物理性能,如電學(xué)、光學(xué)、力學(xué)性能各不相同,其壓電效應(yīng)的強(qiáng)弱和性質(zhì)同樣與結(jié)晶軸向有關(guān),在有的方向上甚至沒有壓電效應(yīng)。因此不同的切割方式就可以獲得適應(yīng)不同用途的石英元件,例如有的切割方式可以獲得極小的頻率,溫度系數(shù),可制成穩(wěn)定度極高在電子技術(shù)中廣泛應(yīng)用的穩(wěn)頻晶片,有的切割方式特別適宜制作各種不同性能的機(jī)械濾波器,近年來發(fā)展的LC切割方式可以在很寬的溫度范圍內(nèi)線性良好的頻率溫度關(guān)系,可制做超聲測(cè)溫元件。作為超聲探頭的石英晶片主要采取X切割和Y切割二種方式。
二、壓電效應(yīng);
壓電陶瓷是由許多小晶粒組成的多晶體。目前探傷中常用的壓電陶瓷,其晶胞是鋇鈦礦型晶胞,如圖4-13(a)所示,所有的壓電材料當(dāng)溫度升高到一定值后,壓電效應(yīng)會(huì)自行消失,物理學(xué)上稱這溫度為材料的居里點(diǎn),以Tc表示。當(dāng)壓電陶瓷的溫度在居里點(diǎn)以上時(shí),晶胞屬于立方晶系,其正負(fù)電荷分配如圖4-13 (b)所示。由于立方體對(duì)稱性很高,鈦離子即使偏離中心位置,但從各方面偏離中心位置的幾率是相同的,所以由立方體晶胞組成的晶粒的平均. 華東地區(qū)的大管超聲渦流設(shè)備誰家質(zhì)量好?
2.電氣品質(zhì)因素0e和機(jī)械品質(zhì)因素0m電氣品質(zhì)因素0e是壓電材料貯存的電能與耗損的電能之比。它反映壓電材料在交變電壓作用下消耗電能而轉(zhuǎn)變成熱能的大小。造成這種消耗的主要原因有,在外加電壓變化時(shí)壓電元件內(nèi)部極化狀態(tài)變化的滯后、壓電材料內(nèi)介質(zhì)存在漏電流以及壓電材料介質(zhì)結(jié)構(gòu)不均勻等。如果把壓電材料看成是一個(gè)電學(xué)介質(zhì)材料,由于電介質(zhì)在電場(chǎng)作用下引起發(fā)熱而消耗的能量(介質(zhì)損耗),通常以介質(zhì)損耗因子tg%的大小來表示,則電氣品質(zhì)因數(shù)0e可以用tgo的倒數(shù)來表示,即機(jī)械品質(zhì)因素0m的定義是:壓電材料在諧振時(shí)的機(jī)械能量與在一個(gè)周期內(nèi)損耗的機(jī)械能量之比。它反映了壓電材料振動(dòng)時(shí)克服內(nèi)摩擦而消耗能量的大小,是衡量壓電材料的一個(gè)重要常數(shù)。機(jī)械品質(zhì)因素0m和電氣品質(zhì)因素0e越大,意味著在壓電效應(yīng)過程中損耗的能量就越小,在大功率和高頻情況下的發(fā)熱量就越小,但是對(duì)展寬頻帶,改善波形和提高分辨率等都不利,因此在應(yīng)用時(shí)還需根據(jù)實(shí)際情況適當(dāng)選擇。另外,由于0m和ee還隨負(fù)載媒介的性質(zhì)而變化,因此也可以利用改變負(fù)載媒介的辦法來解決上述矛盾〈如石英晶體在大氣中自由輻射em高達(dá)50000,而在水中且加阻尼塊0m可小于10)。 大管超聲渦流設(shè)備能干嗎??上??诒么蠊艹暅u流設(shè)備哪家好
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3發(fā)射電路:見圖4-4,發(fā)射電路利用閘流管或晶閘管的開關(guān)特性,產(chǎn)生幾百伏至上千伏的電脈沖。電脈沖加于發(fā)射探頭,激勵(lì)壓電晶片振動(dòng),使之發(fā)射超聲波,可控硅發(fā)射電路的典型電路如圖所示。發(fā)射電路中的電阻R稱為阻尼電阻,用發(fā)射強(qiáng)度旋鈕可改變Ro的阻值。阻值大發(fā)射強(qiáng)度高,阻值小發(fā)射強(qiáng)度低,因Ro與探頭并聯(lián),改變Ro同時(shí)也改變了探頭電阻尼大小,即影響探頭的分辨力。4〉接收電路:見圖4-5,接收電路由衰減器、射頻放大器、檢波器和視頻放大器等組成。它將來自探頭的電信號(hào)進(jìn)行放大、檢波,***加至示波管的垂直偏轉(zhuǎn)板上,井在熒光屏上顯示。由于接收的電信號(hào)非常微弱,通常只有數(shù)百微伏到數(shù)伏,而示波管全調(diào)制所需電壓要幾百伏,所以接收電路必須具有約105的放大能力。接收電路的性能對(duì)探傷儀性能影響極大,它直接影響到探傷儀的垂直線性、動(dòng)態(tài)范圍、探傷靈敏度、分辨力等重要技術(shù)指標(biāo)。青島直縫大管超聲渦流設(shè)備價(jià)格