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海南電子線圈加工廠外發(fā)

來源: 發(fā)布時間:2023-11-30

電動車無刷電機(jī)控制器短路的工作模型解決方案:溫升公式:Tj=Tc+P×Rth(jc)根據(jù)單脈沖的熱阻系數(shù)確定允許的短路時間工作溫度越高短路保護(hù)時間就應(yīng)該越短1短路模型及分析短路模型如圖1所示,其中畫出了功率輸出級的A、B兩相(共三相)。Q1和Q3為A相MOSFET,Q2和Q4為B相MOSFET,所有功率MOSFET均為AOT430。L1為電機(jī)線圈,Rs為電流檢測電阻。當(dāng)控制器工作時,如電機(jī)短路,則會形成如圖1中所示的流經(jīng)Q2,Q3的短路電流,其電流值很大,達(dá)幾百安培,MOSFET的瞬態(tài)溫升很大,這種情況下應(yīng)及時保護(hù),否則會使MOSFET結(jié)點溫度過高而使MOSFET損壞。短路時Q3電壓和電流波形如圖2所示。圖2a中的MOSFET能承受45us的大電流短路,而圖2b中的MOSFET不能承受45us的大電流短路,當(dāng)脈沖45us關(guān)斷后,Vds回升,由于溫度過高,經(jīng)過10us的時間MOSFET便短路,Vds迅速下降,短路電流迅速上升。由圖2我們可以看出短路時峰值電流達(dá)500A,這是由于短路時MOSFET直接將電源正負(fù)極短路,回路阻抗是導(dǎo)線,PCB走線及MOSFET的Rds(on)之和,其數(shù)值很小,一般為幾十毫歐至幾百毫歐。2計算合理的保護(hù)時間在實際應(yīng)用中,不同設(shè)計的控制器,其回路電感和電阻存在一定的差別以及短路時的電源電壓不同。電子線圈推薦,無錫東英電子值得信賴,歡迎有需求的朋友們聯(lián)系我司!海南電子線圈加工廠外發(fā)

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頻陷波線圈的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與振蕩線圈相似,只是磁帽可調(diào)磁心。2).電視機(jī)用行振蕩線圈行振蕩線圈用在早期的黑白電視機(jī)中,它與**的阻容元件及行振蕩晶體管等組成自激振蕩電路(三點式振蕩器或間歇振蕩器、多諧振蕩器),用來產(chǎn)生頻率為15625HZ的的矩形脈沖電壓信號。該線圈的磁心中心有方孔,行同步調(diào)節(jié)旋鈕直接插入方孔內(nèi),旋動行同步調(diào)節(jié)旋鈕,即可改變磁心與線圈之間的相對距離,從而改變線圈的電感量,使行振蕩頻率保持為15625HZ,與自動頻率控制電路(AFC)送入的行同步脈沖產(chǎn)生同步振蕩。湖南新型電子線圈電子線圈推薦,無錫東英電子值得信賴,相信您的選擇,值得信賴。

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本實用新型涉及電磁線圈技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種陣列電磁線圈盤。背景技術(shù):磁線盤是一種運用電磁感應(yīng)原理進(jìn)行加熱的技術(shù),主要應(yīng)用于電磁爐。目前,市面上常見的電磁爐的其工作原理是通過給線圈通電以產(chǎn)生交變磁場,當(dāng)用含鐵質(zhì)鍋具底部放置爐面時,鍋具即切割交變磁力線而在鍋具底部金屬部分產(chǎn)生交變的電流(即渦流),渦流使鍋具鐵分子高速無規(guī)則運動,分子互相碰撞、摩擦而產(chǎn)生熱能,使鐵質(zhì)鍋具本身自行高速發(fā)熱,用來加熱和烹飪食物,從而達(dá)到煮食的目的。目前市場上常見的電磁線圈盤主要針對功能性進(jìn)行發(fā)展,其中對電磁爐方面有大量的使用,其具有發(fā)熱速度快,使用簡單,結(jié)構(gòu)合理且安全等優(yōu)勢,但是在實際使用過程中,發(fā)熱效果相對不夠均勻,且電磁線圈發(fā)熱時可能產(chǎn)生大量的輻射,對孕婦等特殊人群產(chǎn)生傷害,防輻射性能相對不夠好,為此我們提出一種陣列電磁線圈盤來解決上述問題。技術(shù)實現(xiàn)要素:(一)解決的技術(shù)問題針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本實用新型提供了一種陣列電磁線圈盤,具備發(fā)熱效果均勻且防輻射效果好等優(yōu)點,解決了在實際使用過程中,發(fā)熱效果相對不夠均勻,且電磁線圈發(fā)熱時可能產(chǎn)生大量的輻射,對孕婦等特殊人群產(chǎn)生傷害,防輻射性能相對不夠好的問題。。

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導(dǎo)致控制器三相輸出線短路時的短路電流各不相同,所以設(shè)計者應(yīng)跟據(jù)自己的實際電路和使用條件設(shè)計合理的保護(hù)時間。短路保護(hù)時間計算步驟:計算MOSFVBHET短路時允許的瞬態(tài)溫升因為控制器有可能是在正常工作時突然短路,所以我們的設(shè)計應(yīng)是基于正常工作時的溫度來計算允許的瞬態(tài)溫升。MOSFET的結(jié)點溫度可由下式計算:Tj=Tc+P×Rth(jc)其中:Tc:MOSFET表面溫度Tj:MOSFET結(jié)點溫度Rth(jc):結(jié)點至表面的熱阻,可從元器件Dateet中查得。理論上MOSFET的結(jié)點溫度不能超過175℃,所以電機(jī)相線短路時MOSFET允許的溫升為:Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根據(jù)瞬態(tài)溫升和單脈沖功率計算允許的單脈沖時的熱阻由圖2可知,短路時MOSFET耗散的功率約為:P=Vds×I=25×400=10000W脈沖的功率也可以通過將圖二測得波形存為EXCEL格式的數(shù)據(jù),然后通過EXCEL進(jìn)行積分,從而得到比較精確的脈沖功率數(shù)據(jù)。對于MOSFET溫升計算有如下公式:Trising=P×Zθjc×Rθjc其中:Rθjc------結(jié)點至表面的熱阻,可從元器件Dateet中查得。Zθjc------熱阻系數(shù)Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根據(jù)單脈沖的熱阻系數(shù)確定允許的短路時間由圖3下面一條曲線(單脈沖)可知,對于單脈沖來說。電子線圈推薦,無錫東英電子值得信賴,有需求的不要錯過哦!湖南新型電子線圈

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當(dāng)用含鐵質(zhì)鍋具底部放置爐面時,鍋具即切割交變磁力線而在鍋具底部金屬部分產(chǎn)生交變的電流(即渦流),渦流使鍋具鐵分子高速無規(guī)則運動,分子互相碰撞、摩擦而產(chǎn)生熱能,使鐵質(zhì)鍋具本身自行高速發(fā)熱,用來加熱和烹飪食物,從而達(dá)到煮食的目的。目前市場上常見的電磁線圈盤主要針對功能性進(jìn)行發(fā)展,其中對電磁爐方面有大量的使用,其具有發(fā)熱速度快,使用簡單,結(jié)構(gòu)合理且安全等優(yōu)勢,但是在實際使用過程中,發(fā)熱效果相對不夠均勻,且電磁線圈發(fā)熱時可能產(chǎn)生大量的輻射,對孕婦等特殊人群產(chǎn)生傷害,防輻射性能相對不夠好,為此我們提出一種陣列電磁線圈盤來解決上述問題。技術(shù)實現(xiàn)要素:(一)解決的技術(shù)問題針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本實用新型提供了一種陣列電磁線圈盤,具備發(fā)熱效果均勻且防輻射效果好等優(yōu)點,解決了在實際使用過程中,發(fā)熱效果相對不夠均勻,且電磁線圈發(fā)熱時可能產(chǎn)生大量的輻射,對孕婦等特殊人群產(chǎn)生傷害,防輻射性能相對不夠好的問題。海南電子線圈加工廠外發(fā)